PZT EMI 측정기 회로 수정
STM32H7 PZT EMI 임피던스 측정기 프로젝트를 이어서 진행
중요:
계획만 세우지 말고 실제 회로도 수정 도구를 사용해 부품 추가와 pin/net 연결까지 실행하세요.
작업 후에는 “추가된 부품 번호, 역할, 연결 net, 남은 미연결 핀”을 목록으로 보고하세요.
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- 해당 회로도의 목적
이 회로도는 STM32H743VIT6 기반 PZT EMI 임피던스 측정 회로입니다.
목적은 PZT 센서를 주파수별로 가진하고, PZT 양단 전압 및 전류/전압 강하 정보를 측정하여 임피던스 변화를 계산하는 것입니다.
전압 강하 및 데이터 측정/처리는 MCU 모듈(STM32H743)과 ADC를 중심으로 수행합니다.
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계획만 세우지 말고 실제 회로도 수정 도구를 사용해 부품 추가와 pin/net 연결까지 실행하세요.
작업 후에는 “추가된 부품 번호, 역할, 연결 net, 남은 미연결 핀”을 목록으로 보고하세요.
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- 회로도 구성
현재 회로도는 다음 기능 블록으로 구성됩니다.
- MCU/제어부: STM32H743VIT6
- DDS/신호 발생부: AD9833 계열 DDS
- PZT 구동부: OPA564 전력 OP AMP를 이용한 PZT 구동
- 측정부: AD7380 ADC 및 전압/전류 센싱 경로
- 통신부: USB3320 ULPI PHY 및 USB-C 관련 회로
- 전원부:
- 외부 +12V 입력
- 외부 -12V 입력 또는 음전원 레일
- TPS5430 기반 +12V → +5V buck
- U8 TLV1117LV33DCYR 기반 +5V → +3V3 LDO
- VDDA 아날로그 전원 필터링
- TPS60403 기반 저전류 VNEG_BIAS local negative bias
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- 현재까지 진행된 상황
완료된 내용:
- +3V3 생성 LDO 구성 완료
- U8 = TLV1117LV33DCYR
- C36 = 1µF 입력 커패시터
- C37 = 1µF 출력 커패시터
- 연결:
- U8 VIN, C36 P1 → +5V
- U8 VOUT 및 Tab, C37 P1 → +3V3
- U8 GND, C36 P2, C37 P2 → GND
- 입력 쇼트키 역극성 보호 일부 구성 완료
- D1 = SS34 쇼트키 다이오드
- 외부 +12V 입력 흐름:
- J2:1 → +12V_RAW
- +12V_RAW → D1:A
- D1:K → +12V 보호 후 레일
- J2:2 → GND
- 즉, 현재 구조는 J2 → +12V_RAW → D1 SS34 → +12V 입니다.
A. 입력 쇼트키 역극성 보호 회로 최종 확인
- D1 SS34가 +12V_RAW와 +12V 사이에 직렬로 들어가 있는지 확인
- +12V_RAW는 커넥터 입력측, +12V는 보호 후 부하측으로 유지
B. 입력 보호소자 구성 - +12V 입력부에 퓨즈 또는 폴리퓨즈 추가
- +12V 보호 후 레일 또는 입력부에 TVS 다이오드 추가
- 입력 벌크 커패시터 및 고주파 바이패스 커패시터 추가
- 모든 보호소자를 실제 회로도에 추가하고 net 연결까지 수행
C. U1 VBAT 처리 - STM32H743 U1의 VBAT 핀이 미연결 상태인지 확인
- 배터리 백업을 사용하지 않을 경우 VBAT를 +3V3에 연결하는 방향으로 처리
- 필요 시 적절한 커패시터 또는 No Connect 여부를 검토
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- 앞으로 진행해야 할 상황
남은 전원부 보완 항목은 다음 순서로 진행합니다.
D. TPS5430 buck 세부 회로 검증- U6 TPS5430DDA의 VIN, EN, BOOT, PH, VSENSE/FB, GND 관련 외부 소자 확인
- 인덕터, catch diode, bootstrap capacitor, feedback divider, 입력/출력 커패시터가 데이터시트 권장 구성에 맞는지 확인
- 누락된 부품이나 잘못된 net이 있으면 수정
E. ERC/DRC 검증 - 수정 후 미연결 핀, floating pin, 전원핀 문제를 다시 확인
- 남은 미연결 핀 목록을 사용자에게 명확히 보고
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