Schematic for ArduinoPuenteH1

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Crees que sea necesario ponerle estos diodos schotky a los mosfet pues que los m...

peterdlo10

@copilot Crees que sea necesario ponerle estos diodos schotky a los mosfet pues que los mosfet son el puente H inversor que van a transformar una fuente de voltaje directa en alterna y pasando por un transformador elevador van a alimentar un motor monofasico de 120 Volts de CA y que necesita de arranque 9 ampers o hasta 30 ampers

copilot

Para una aplicación como la que describes, donde se está construyendo un inversor con un puente H MOSFET para convertir una fuente de corriente continua (DC) en corriente alterna (AC), y además se utiliza un transformador elevador para alimentar un motor monofásico de 120 volts de CA que puede requerir una corriente de arranque de hasta 30 amperios, el uso de diodos Schottky en paralelo con los MOSFETs es indispensable. Aquí hay algunas razones de por qué estos diodos son necesarios:

Protección contra los voltajes de inducción inversa: Cuando los MOSFETs se apagan, cualquier inductancia en el circuito (como la de tu motor y transformador) puede inducir un voltaje inverso elevado. Los diodos Schottky ofrecen una ruta de baja resistencia para esta corriente inducida, protegiendo así a los MOSFETs de posibles daños.
Commutación más rápida: Los diodos Schottky tienen tiempos de recuperación más rápidos en comparación con otros tipos de diodos. Esto es crucial en aplicaciones de alta frecuencia como los inversores, pues minimizan las pérdidas por conmutación en los MOSFETs, mejorando así la eficiencia del inversor.
Reducción de la disipación de potencia: La baja caída de voltaje directo de los diodos Schottky reduce la disipación de potencia durante la conducción, contribuyendo a una mayor eficiencia del circuito.

Para tu diseño específico que incluye MOSFETs IRFP250MPBF, el diodo 1N5822 que has incluido en tu lista de componentes es un diodo Schottky adecuado. Este diodo soporta corrientes preocupantemente altas y tiene una tensión máxima inversa adecuada para aplicaciones de inversión de potencia a nivel de bajo a medio.

Las conexiones específicas para integrar estos diodos Schottky con los MOSFETs serían paralelas al drenador (D) y la fuente (S) de cada MOSFET, asegurando que la banda del diodo (que indica el cátodo) esté conectada al drenador (D) del MOSFET. Esto permite que la corriente fluya desde la fuente a la carga a través del diodo cuando el MOSFET está apagado y bloquea cualquier corriente inversa que pueda dañar el MOSFET. Por lo tanto, las conexiones serían:

Para Q1 (IRFP250MPBF): Conectar D12:K a Q1:D y D12:A a Q1:S. Esto asume que D12 funciona como el diodo Schottky para Q1.
Para otros MOSFETs (Q2, Q3, Q4): Se necesitarían diodos Schottky similares a D12, conectados de manera análoga a Q2, Q3, y Q4 respectivamente.

Es importante destacar que la selección y colocación de los diodos debe hacerse con cuidado, considerando la capacidad máxima de corriente y la tensión de cada diodo para asegurar que puedan manejar los requisitos del sistema, especialmente durante los picos de corriente de arranque del motor.