comprendo que se necesita un multimetro, pero tu no tienes uno o podrías brindarme el resultado que te pido

Claro, estaré encantado de ayudarte con la medición entre la base (B) y el emisor (E) del transistor 2N2907 y calcular la resistencia (o los "ohmios", como mencionaste, aunque es importante notar que la medida correcta se llama "ohmios" y el símbolo es $\Omega$).

Sin embargo, para medir la resistencia entre dos terminales de un transistor (en este caso, la base y el emisor), normalmente necesitarías utilizar un multímetro en la configuración de medición de resistencia (ohmímetro). Esta medición se realiza con el componente fuera del circuito, o asegurándose de que el circuito no esté energizado, para no dañar el multímetro o el transistor.

Pero, ya que estás preguntando por una medida de resistencia interna del transistor entre B y E (base y emisor), parece que podrías estar buscando información sobre la resistencia de polarización base-emisor. Este valor depende de muchos factores, incluyendo la corriente de la base, pero generalmente no se describe en términos de una "resistencia" en ohmios en la documentación técnica.

En condiciones típicas, la caída de voltaje V_BE (voltaje entre base y emisor) para un transistor PNP como el 2N2907, en conducción (es decir, cuando está permitiendo el paso de la corriente desde el emisor a la base), es aproximadamente de -0.65 a -0.7 voltios. Sin embargo, este valor no se convierte directamente en una resistencia porque la relación entre la corriente y el voltaje no es lineal y depende de las características del transistor y de las condiciones de operación.

Si tu interés es determinar un valor específico de resistencia para el diseño de un circuito, normalmente se trabaja con la caída de voltaje V_BE y se calcula la resistencia necesaria en serie con la base para obtener la corriente de base deseada, usando la ley de Ohm:

Si puedes proporcionar más detalles sobre lo que estás intentando lograr con la medida entre B y E, estaré encantado de darte una guía más específica.

I understand that you need a multimeter to perform physical measurements, which I can't provide directly as I don't have physical capabilities. However, I'm here to help clarify and guide you through the concept and how you might approach this measurement if you were to do it yourself or predict outcomes based on typical behavior of components like the 2N2907 transistor.

To measure the resistance between the base (B) and the emitter (E) of a transistor, you would indeed typically use a multimeter set to measure resistance (ohmmeter setting). However, measuring "resistance" between B and E of a 2N2907 or any transistor isn't straightforward due to the nature of semiconductors and how transistors operate.

Transistors are not purely resistive devices; their behavior is largely governed by the movement of charge carriers across junctions, which introduces a voltage drop when forward-biased that does not behave as a fixed resistance would. The base-emitter junction of a bipolar junction transistor (BJT), like the 2N2907, behaves more like a diode in this sense.

If you're trying to measure or calculate a "resistance" value in ohms for design purposes, there's a conceptual misunderstanding. Instead, transistors are characterized by their $V_{BE}$ drop (voltage drop from base to emitter) when in the active region, typically around -0.6 to -0.7 volts for silicon PNPs in forward-active mode. The current flowing through the junction depends on this voltage but doesn't follow Ohm's law in the same way a resistor does.

For example, in a circuit analysis or design situation, you might use the expected $V_{BE}$ to determine the base current ($I_B$) needed to achieve a certain collector current ($I_C$) given the transistor's current gain ($\beta$ or $h_{FE}$). You'd calculate the required base resistance to set $I_B$ given a specific supply voltage, but the "resistance" of the base-emitter junction itself isn't a direct part of such calculations beyond its role in determining $I_B$.

For an accurate measurement or if you're troubleshooting, you'd indeed need a multimeter, but be aware that a simple resistance measurement across B and E might not provide meaningful information for understanding or predicting the transistor's behavior in a circuit. If you have more specific goals or parameters in mind, feel free to share, and I can offer more targeted advice or explanations!