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1. Polarización de la Base (B):
   • Primero, necesitas una resistencia de base ((R_B)) para limitar la corriente a través de la base. El valor de esta resistencia depende de la corriente de colector deseada ((I_C)) y la ganancia de corriente en continua del transistor ((\beta)). Se puede estimar el valor de (R_B) usando la fórmula: $R_B = \frac{V_{CC} - V_{BE}}{I_B}$ Donde:
   • (V_{CC}) es la tensión de alimentación.
   • (V_{BE}) suele ser aproximadamente 0.7V para el BC547B.
   • (I_B = \frac{I_C}{\beta}), con (\beta) siendo la ganancia de corriente (para el BC547B, puedes usar un valor tipico como 200).
   • Asumamos que quieres una (I_C) de 10mA y tienes una (V_{CC}) de 5V, entonces: $I_B = \frac{10mA}{200} = 50\mu A$ $R_B = \frac{5V - 0.7V}{50\mu A} \approx 86k\Omega$
   • Connect (R_{B}):anode to (V_{CC}) (Suponemos (R_{B}) como una resistencia externa que necesitas añadir).
   • Connect (R_{B}):cathode to B:1.
2. Conexión del Colector (C):
   • El colector se conectará a la tensión de alimentación a través de una carga de colector ((R_C)). Esta resistencia también ayuda a limitar la corriente de colector.
   • El valor de (R_C) se puede calcular para establecer un punto de operación deseado: $R_C = \frac{V_{CC} - V_{CE}}{I_C}$
   • Si queremos una caída de tensión de (V_{CE}) de aproximadamente 2V, y manteniendo (I_C = 10mA), (V_{CC} = 5V): $R_C = \frac{5V - 2V}{10mA} = 300\Omega$
   • Connect (R_{C}):anode to (V_{CC}).
   • Connect (R_{C}):cathode to C:1.
3. Conexión del Emisor (E):
   • Connect E:1 directly to ground. Esto completa la polarización del colector-emisor.

• Base (B): Conectar a través de (R_B) a (V_{CC}).
• Colector (C): Conectar a través de (R_C) a (V_{CC}).
• Emisor (E): Conectar directamente a tierra (GND).

• (V_{CC}) = 5V
• (I_C) deseado de 10mA
• (V_{BE}) aproximadamente = 0.7V
• Un valor típico de (\beta) para BC547B = 200

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Mermaid
graph TD
    C1[Collector]
    B1[Base]
    E1[Emitter]

    Q1(BJT Transistor: NPN TO-92)\n45V node_625mW node_100mA\nhfe: 200@2mA,5V\n150MHz node_300mV@100mA,5mA\n+150℃) -- Collector --> C1
    Q1 -- Base --> B1
    Q1 -- Emitter --> E1

• Q1: Represents a general-purpose NPN BJT transistor in a TO-92 package. Specific manufacturer details are not provided in your project, so I used the general parameters.
• C1, B1, and E1: Are unnamed pins in your schematic, representing Collector, Base, and Emitter respectively.