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U3
U1
U4 GND - C6 P2
R8
Resistance
10kΩ
U2 GND - C1 P2
U4 GND - C6 P2
U2 GND - C1 P2
U2 GND - C1 P2
R3
Resistance
100Ω
R7
Resistance
10kΩ
GND
U2 GND - C1 P2
U4 GND - C6 P2
U4 GND - C6 P2
GND
R6
Resistance
10kΩ
U2 GND - C1 P2
U2 GND - C1 P2
U2 GND - C1 P2
U2 GND - C1 P2
U2 GND - C1 P2
U2 GND - C1 P2
U1 GND__1 - U5 GND
R5
Resistance
1kΩ
R2
Resistance
3.09kΩ
U2 GND - C1 P2
GND
R4
Resistance
100kΩ
U1 GND__1 - U5 GND
R1
Resistance
1kΩ
U4 GND - C6 P2
D3 C - U2 VIN
U4 VOUT - R5 P1
U2 FB - R2 P2
L1 P2 - C2 P1
R3 P2 - Q1 G
U1 D19 - U5 DIO
R3 P2 - Q1 G
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
U4 VOUT - R5 P1
L1 P2 - C2 P1
U1 D25 - R3 P1
U2 FB - R2 P2
L1 P2 - C2 P1
L1 P2 - C2 P1
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
R5 P2 - C7 P1
U1 D18 - U5 CLK
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
R5 P2 - C7 P1
L1 P2 - C2 P1
Q1 D - J2 2
U1 D18 - U5 CLK
U2 FB - R2 P2
U1 D19 - U5 DIO
R3 P2 - Q1 G
J1 1 - D3 A
L1 P2 - C2 P1
U1 D19 - U5 DIO
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
R8 P2 - C9 P1
L1 P2 - C2 P1
D3 C - U2 VIN
R8 P2 - C9 P1
R5 P2 - C7 P1
L1 P2 - C2 P1
R8 P2 - C9 P1
D3 C - U2 VIN
U1 D18 - U5 CLK
U2 OUT - L1 P1
U2 FB - R2 P2
D3 C - U2 VIN
U2 OUT - L1 P1
Q1 D - J2 2
J1 1 - D3 A
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
L1 P2 - C2 P1
U2 OUT - L1 P1
U1 D25 - R3 P1
U3 TAB(VOUT) - C5 P1
C5
Capacitance
22uF
C7
Capacitance
100nF
C1
Capacitance
470uF
C4
Capacitance
10uF
C6
Capacitance
100nF
C3
Capacitance
6.8nF
C9
Capacitance
100nF
C8
Capacitance
10uF
C2
Capacitance
330uF
J2
U4
D1
Q1
U5
U2
L1
Inductance
33uH
D3
J1

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Especificación del Proyecto — Planta Térmica ESP32 PID
Objetivo
Diseñar el esquemático de una planta térmica experimental con modelado no lineal y control digital implementado en PCB.
Requisitos extraídos del PDF
  • Controlador: ESP32 / ESP32-WROOM o DevKit.
  • Sensor de temperatura: LM35 analógico, salida 10 mV/°C, rango de trabajo del prototipo 25°C a 100°C.
  • Actuador térmico: resistencia calefactora de 8 Ω alimentada a 12 V.
  • Corriente máxima del calefactor: I = 12 V / 8 Ω = 1.5 A.
  • Potencia del calefactor: P = 12² / 8 = 18 W.
  • Etapa de potencia: MOSFET N lógico IRLZ44N/IRFZ44N en conmutación low-side, controlado por PWM del ESP32.
  • Alimentación: entrada 12 V DC, convertidor buck LM2596 para 5 V, regulador AMS1117-3.3 para 3.3 V.
  • Visualización: display TM1637 de 4 dígitos, interfaz CLK/DIO.
  • Sensado: salida LM35 hacia ADC del ESP32 con filtro RC pasivo.
  • Protección: diodo 1N4007 contra inversión/perturbaciones y conectores tipo bornera.
  • Control: PID discreto con salida PWM limitada a 0..255 y anti-windup.
Bloques funcionales del esquemático
  1. Entrada 12 V y protección.
  2. Regulación 12 V -> 5 V -> 3.3 V.
  3. MCU ESP32 y decoupling.
  4. Sensor LM35 + filtro RC + ADC.
  5. MOSFET de potencia + calefactor 8 Ω.
  6. Display TM1637.
  7. Conectores y puntos de prueba.
Decisiones de diseño iniciales
  • Usar IRLZ44N en lugar de IRFZ44N cuando esté disponible, porque el documento lo lista como MOSFET lógico compatible con ESP32.
  • Mantener el calefactor fuera de la PCB mediante bornera de 2 pines para evitar calor directo sobre el PCB.
  • Separar retorno de potencia del retorno analógico y unir a GND en una topología de baja impedancia cerca de entrada/fuente.
  • Usar GPIO34 para ADC del LM35 porque es entrada analógica del ESP32.
  • Usar GPIO25 para PWM del MOSFET, GPIO18 para TM1637 CLK y GPIO19 para TM1637 DIO.
Validación pendiente
  • Consultar datasheets de ESP32, LM35, IRLZ44N, LM2596 y AMS1117.
  • Añadir y cablear componentes.
  • Ejecutar revisión eléctrica y corregir violaciones.
  • Objetivo

  • Requisitos extraídos del PDF

  • Bloques funcionales del esquemático

  • Decisiones de diseño iniciales

  • Validación pendiente

Assets

Assets are files uploaded to this project which can be used in various ways.

Planta Térmica ESP32 PID thumbnail
Planta térmica experimental con ESP32, LM35, control PID discreto, calefactor 12V/8Ω y PCB de potencia/sensado.

Properties

V

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$10.54–$10.92

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Controls