PZT EMI 측정기 회로 수정

제안하셨던 절차입니다.
BOM/Review에서 확인한 결과 MPN 누락 56건은 Generic R/C/L에 집중되어 있으며, 정리 우선순위는 TPS5430 전원부 부품 → +3V3/VDDA 전원 품질 부품 → 측정 정확도 부품 → USB 관련 → 일반 decoupling/pull resistor 일괄 처리 순서가 맞습니다.
현재 56건 중 49건으로 줄어들었습니다. TPS5430 전원부 부품 작업이 완료된 것으로 보입니다.
그러면 그 다음 +3V3/VDDA 전원 품질 부품에 관련된 작업을 진행하면 되는 건가요?
네, 맞습니다. TPS5430 전원부 MPN/정격/패키지 정리가 완료되었으므로 다음 우선순위는 +3V3/VDDA 전원 품질 부품 정리입니다.
진행 방식은 기존 부품을 제거/교체하기보다, 가능한 경우 기존 Generic R/C/L의 MPN·제조사·정격·패키지 속성을 제자리에서 수정하는 방식이 맞습니다. 이렇게 해야 기존 net 연결과 PCB 배치를 보존할 수 있습니다 .
다음 단계에서 볼 대상은 보통 다음 부품군입니다.
  1. +3V3 LDO 주변
    • U8 입력/출력 커패시터
    • +3V3 bulk/decoupling capacitor
    • MCU/DDS/ADC/USB PHY에 공급되는 +3V3 decoupling capacitor
  2. VDDA 아날로그 전원 필터
    • VDDA series resistor / ferrite bead / inductor
    • VDDA bulk capacitor
    • VDDA 100nF bypass capacitor
  3. 전원 품질 관련 passives
    • +3V3, VDDA, VREF 주변 100nF / 1µF / 4.7µF / 10µF 커패시터
    • 아날로그/디지털 전원 분리용 저항 또는 ferrite bead
우선순위는 VDDA/VREF처럼 측정 정확도에 직접 영향이 큰 아날로그 전원 필터 → U8 +3V3 LDO 안정성 부품 → MCU/ADC/DDS/USB decoupling 순서로 진행하는 것이 좋습니다. 다음 작업에서는 BOM/Review의 남은 MPN 누락 항목 중 이 전원 품질 부품들을 먼저 골라서, 각 부품의 값·전압 정격·패키지·MPN을 지정하면 됩니다.
VDDA/VREF 정리
C12 용도 확인
LDO 커패시터 검토
VDDA 부품 추천
누락 항목 분류

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U6 TPS5430 Buck PCB 배치 및 전류 루프 검토
검토 대상
  • U6: TPS5430DDA buck regulator
  • 입력 커패시터: C21, C22 (+12VGND)
  • Bootstrap capacitor: C34 (BOOTPH_SW)
  • Catch diode: D3 (PH_SWGND)
  • Inductor: L1 (PH_SW+5V)
  • 출력 커패시터: C23, C24, C41 (+5VGND)
  • Feedback divider: R10/R11 (+5VTPS5430_FBGND)
현재 PCB 배치 좌표

Table


부품중심 좌표 (mm)역할평가
U6(80.00, 33.00)TPS5430기준점
C34(78.00, 37.50)BOOT-PH bootstrapU6 근처, 비교적 양호
L1(87.00, 35.00)PH_SW → +5V 인덕터U6 근처, 양호
C21(82.00, 28.00)+12V 입력 capU6 근처, 양호
C22(91.00, 42.00)+12V 입력 capU6에서 다소 멂
C23(86.00, 41.00)+5V 출력 capL1 근처이나 U6에서 약간 멂
C24(94.00, 42.00)+5V 출력 cap다소 멂
C41(11.08, 16.32)+5V 출력 bulk capU6/L1과 매우 멂
D3(-39.94, -34.29)Catch diode심각하게 멂
R10(-21.56, -29.91)Feedback upper resistor심각하게 멂
R11(-72.43, -38.05)Feedback lower resistor심각하게 멂
주요 문제
1. Catch diode D3 위치가 매우 부적절
D3는 PH_SWGND 사이의 Schottky catch diode입니다. Buck converter에서 고 di/dt 루프는 대략 다음 경로입니다:
U6 PH → D3 K/A → GND → U6 GND/GNDPAD
현재 D3는 U6에서 약 139mm 떨어져 있어, 스위칭 전류 루프 면적이 매우 큽니다. EMI, 링잉, 스위칭 노이즈, 효율 저하 가능성이 큽니다.
2. Feedback divider R10/R11 위치가 매우 부적절
R10/R11은 TPS5430_FB node를 형성하며 U6 VSENSE에 연결됩니다. 이 node는 고임피던스 제어 신호이므로 짧고 조용해야 합니다.
현재 R10/R11은 U6에서 수십~150mm 떨어져 있어 TPS5430_FB trace가 길어질 수밖에 없습니다. 이는 출력 전압 정확도와 안정성에 악영향을 줄 수 있습니다.
3. 출력 bulk capacitor C41이 너무 멂
C41은 +5V 출력 bulk capacitor로 추가되었지만 현재 U6/L1 출력 영역과 약 70mm 이상 떨어져 있습니다. 출력 전류 루프 관점에서 거의 local output bulk로 동작하지 못합니다.
4. C34, L1, C21은 상대적으로 양호
  • C34는 U6 근처에 있어 bootstrap loop 관점에서 비교적 양호합니다.
  • L1도 U6 PH 근처에 있어 비교적 적절합니다.
  • C21은 U6 VIN/GND 근처라 입력 decoupling 위치로 적절합니다.
다만 C22는 C21보다 멀리 있어 bulk/input 보조 cap으로는 괜찮지만, 고주파 입력 bypass 역할이면 더 가까워야 합니다.
권장 재배치
반드시 U6 주변으로 이동해야 하는 부품
  1. D3: U6 PH/GND 바로 옆
    • D3:K는 U6 PH 및 L1:P1 쪽에 최대한 짧게
    • D3:A는 U6 GND/GNDPAD와 짧고 넓게
  2. R10/R11: U6 VSENSE 바로 근처
    • R10:P2, R11:P1, U6:VSENSETPS5430_FB node를 매우 짧게
    • Feedback trace는 PH_SW switching node와 L1 근처를 피해서 라우팅
  3. C41: L1 출력단과 C23/C24 근처
    • C41:P1L1:P2 / +5V 쪽으로
    • C41:P2는 GND plane 또는 U6 power ground return에 짧게
현재 유지 가능하거나 미세 조정할 부품
  • C34: U6 BOOT/PH 근처 유지
  • L1: U6 PH 근처 유지
  • C21: U6 VIN/GND 근처 유지
  • C22/C23/C24: 출력/입력 cap 그룹에 더 밀착시키면 좋음
결론
현재 U6 주변 배치는 schematic 연결은 맞지만, PCB 전류 루프 관점에서는 아직 적절하지 않습니다. 특히 D3, R10/R11, C41의 위치가 매우 멀어 반드시 재배치가 필요합니다.
다음 권장 작업은 rewriteLayoutComponentPlacement로 U6 power stage를 재배치하는 것입니다. 배치 시에는 다음 제약을 걸어야 합니다:
  • D3, C34, L1, C21: U6 근처
  • D3 catch diode loop: U6 PH/GND loop 최소화
  • R10/R11: U6 VSENSE 근처, PH_SW node에서 멀리
  • C23/C24/C41: L1 출력단 근처
  • 검토 대상

  • 현재 PCB 배치 좌표

  • 주요 문제

  • 1. Catch diode D3 위치가 매우 부적절

  • 2. Feedback divider R10/R11 위치가 매우 부적절

  • 3. 출력 bulk capacitor C41이 너무 멂

  • 4. C34, L1, C21은 상대적으로 양호

  • 권장 재배치

  • 반드시 U6 주변으로 이동해야 하는 부품

  • 현재 유지 가능하거나 미세 조정할 부품

  • 결론

STM32H7 PZT EMI Impedance Meter thumbnail
STM32H743VIT6 기반 PZT EMI 임피던스 측정 회로

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Properties describe core aspects of the project.

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