PZT EMI 측정기 회로 수정

제안하셨던 절차입니다.
BOM/Review에서 확인한 결과 MPN 누락 56건은 Generic R/C/L에 집중되어 있으며, 정리 우선순위는 TPS5430 전원부 부품 → +3V3/VDDA 전원 품질 부품 → 측정 정확도 부품 → USB 관련 → 일반 decoupling/pull resistor 일괄 처리 순서가 맞습니다.
현재 56건 중 49건으로 줄어들었습니다. TPS5430 전원부 부품 작업이 완료된 것으로 보입니다.
그러면 그 다음 +3V3/VDDA 전원 품질 부품에 관련된 작업을 진행하면 되는 건가요?
네, 맞습니다. TPS5430 전원부 MPN/정격/패키지 정리가 완료되었으므로 다음 우선순위는 +3V3/VDDA 전원 품질 부품 정리입니다.
진행 방식은 기존 부품을 제거/교체하기보다, 가능한 경우 기존 Generic R/C/L의 MPN·제조사·정격·패키지 속성을 제자리에서 수정하는 방식이 맞습니다. 이렇게 해야 기존 net 연결과 PCB 배치를 보존할 수 있습니다 .
다음 단계에서 볼 대상은 보통 다음 부품군입니다.
  1. +3V3 LDO 주변
    • U8 입력/출력 커패시터
    • +3V3 bulk/decoupling capacitor
    • MCU/DDS/ADC/USB PHY에 공급되는 +3V3 decoupling capacitor
  2. VDDA 아날로그 전원 필터
    • VDDA series resistor / ferrite bead / inductor
    • VDDA bulk capacitor
    • VDDA 100nF bypass capacitor
  3. 전원 품질 관련 passives
    • +3V3, VDDA, VREF 주변 100nF / 1µF / 4.7µF / 10µF 커패시터
    • 아날로그/디지털 전원 분리용 저항 또는 ferrite bead
우선순위는 VDDA/VREF처럼 측정 정확도에 직접 영향이 큰 아날로그 전원 필터 → U8 +3V3 LDO 안정성 부품 → MCU/ADC/DDS/USB decoupling 순서로 진행하는 것이 좋습니다. 다음 작업에서는 BOM/Review의 남은 MPN 누락 항목 중 이 전원 품질 부품들을 먼저 골라서, 각 부품의 값·전압 정격·패키지·MPN을 지정하면 됩니다.
VDDA/VREF 정리
C12 용도 확인
LDO 커패시터 검토
VDDA 부품 추천
누락 항목 분류

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TPS5430 전원부 부품 정격/패키지 검토
검토 범위
U6 TPS5430DDA 주변 부품:
  • U6 TPS5430DDA
  • C21 입력 세라믹 커패시터
  • C34 BOOT 커패시터
  • L1 출력 인덕터
  • D3 catch diode
  • C41 출력 bulk capacitor
  • C24 출력 보조 커패시터
  • R10/R11 피드백 저항
데이터시트 기준 요약
TI TPS5430 12V→5V 예제 기준:
  • 입력 범위 예제: 10.8V~19.8V
  • 출력: 5V
  • 출력 전류: 최대 3A
  • 스위칭 주파수: 500kHz
  • 입력 decoupling: 10µF X5R/X7R ceramic, 전압 정격은 최대 입력+ripple보다 커야 함
  • 입력 bulk: 입력원이 몇 inch 이상 떨어져 있으면 추가 bulk 필요, 100µF electrolytic typical
  • 인덕터: 예제 15µH, RMS 3.003A, peak 3.31A, 예제 부품 saturation 3.4A / RMS 3.6A
  • 출력 capacitor: 예제 220µF, 10V, ESR max 40mΩ, ripple current 3A급 POSCAP
  • BOOT capacitor: 0.01µF, BOOT-PH 사이, 최소 10V 동작 정격 필요
  • Catch diode: PH-GND 사이, reverse voltage > VIN(max)+0.5V, peak current > IOUT(max)+half ripple current, 예제 B340A 40V/3A
  • Layout: VIN bypass capacitor는 VIN/GND pin에 매우 가깝게, 데이터시트는 1mm 이내 배치를 명시. DAP/GND는 top ground area와 internal GND plane에 via 연결 필요.
현재 회로도 검토 결과

Table


부품현재 값/패키지데이터시트 기준 적합성판정조치
U6TPS5430DDA, TI_SO-PowerPAD-8_ThermalViasDDA PowerPAD package와 일치. DAP/GND 연결 필요적합PCB에서 thermal pad/GND via 확인 필요
C2110µF, 25V, Package=SMD_0603, Package or Case Code=SMD_0805값/전압은 적합. X5R/X7R ceramic 필요. 패키지 속성이 충돌하며 10µF/25V를 0603으로 쓰면 DC bias 여유가 작을 수 있음전기적 값은 적합, 패키지/MPN 보완 필요0805 또는 1206 X7R/X5R 실제 MPN 지정 권장
C3410nF, 16V, 0603 ceramicBOOT cap 0.01µF, 10V 이상 기준 만족적합실제 MPN 지정 권장
L115µH, current rating 3.4A, Package=SMD_0603, Package or Case Code=SMD_SRN604515µH와 saturation 3.4A는 최소 기준에 가까움. RMS 3.6A 이상이 더 안전. Package 속성이 0603으로 잘못되어 있음부분 적합, 수정 필요실제 전력 인덕터 MPN 지정 및 Package를 SRN6045급 이상으로 통일 권장
D3B340A, 40V/3A SMA데이터시트 예제 catch diode와 동일 계열 40V/3A적합유지 가능
C41220µF, 10V, low-ESR/polymer, SMD_ELEC_D6.3_H7.7220µF/10V/low-ESR는 예제 조건과 일치. 단 ESR 40mΩ 이하, ripple current 확인 필요조건부 적합실제 MPN 지정 필요. ESR≤40mΩ, ripple current≥143mA 이상(권장 수 A급) 확인
C2410µF, 25V, Package=SMD_0603, Package or Case Code=SMD_0805출력 보조 MLCC로는 유용. 단 TPS5430 보상은 C41의 ESR/용량에 의존보조 부품으로 적합실제 MPN 지정 및 Package 속성 통일 권장
R1010kΩ, 0603, 0.1W데이터시트 예제 R1=10kΩ적합1% 실제 MPN 지정 권장
R113.24kΩ, 0603, 0.1W데이터시트 예제 R2=3.24kΩ적합1% 실제 MPN 지정 권장
주요 발견 사항
  1. 회로도 연결은 데이터시트 예제와 부합합니다.
    • U6:VIN/EN = +12V
    • U6:PH = PH_SW = L1:P1/D3:K/C34:P2
    • L1:P2 = +5V
    • C41/C24 = +5V-GND
    • R10/R11 divider = +5V → TPS5430_FB → GND
    • C34 = BOOT-PH
  2. 가장 중요한 수정 후보는 L1 패키지/MPN입니다.
    • 회로도 속성상 Package=SMD_0603_1608MetricPackage or Case Code=SMD_SRN6045가 동시에 존재합니다.
    • 15µH, 3A급 buck 인덕터가 0603일 수는 없으므로 제조/PCB 단계에서 반드시 전력 인덕터 footprint로 고정해야 합니다.
  3. C21 입력 capacitor도 패키지/MPN 정리가 필요합니다.
    • 값과 전압은 데이터시트 기준에 맞지만, 10µF/25V MLCC는 DC bias 때문에 0603보다 0805/1206이 안전합니다.
    • 실제 X5R/X7R MPN을 지정해야 manufacturing MPN 경고를 줄일 수 있습니다.
  4. C41 출력 capacitor는 ESR 조건 확인이 핵심입니다.
    • 220µF/10V 값은 맞지만, TPS5430 예제는 ESR max 40mΩ 조건을 요구합니다.
    • 실제 polymer/POSCAP MPN을 지정하고 ESR/ripple current를 BOM 기준으로 확인해야 합니다.
우선순위별 권장 조치
1순위 — 반드시 수정/지정
  • L1: 15µH 전력 인덕터 실제 MPN 지정, Isat ≥ 3.4A, Irms ≥ 3.6A 권장, footprint를 SRN6045/CDRH104R급 이상으로 통일
  • C41: 220µF 10V low-ESR polymer/POSCAP 실제 MPN 지정, ESR ≤ 40mΩ 확인
  • C21: 10µF 25V X5R/X7R 실제 MPN 지정, 0805 또는 1206 권장
2순위 — 제조 경고 해소
  • C34: 10nF 16V 이상 X7R/X5R MLCC MPN 지정
  • C24: 10µF 25V MLCC MPN 지정
  • R10/R11: 1% 0603 resistor MPN 지정
3순위 — PCB layout 검증
  • C21을 U6 VIN/GND pin 1mm 이내에 배치
  • C34를 U6 BOOT/PH pin 근처에 배치
  • L1/D3/C41/C24를 U6 PH loop가 작아지도록 배치
  • DAP/GND pad를 top GND area 및 internal GND plane에 via로 연결
결론
TPS5430 전원부는 회로도 연결과 nominal 값은 적절하지만, 제조 가능성과 PCB 안정성을 위해 L1/C21/C41의 실제 MPN 및 footprint 정리가 먼저 필요합니다. 특히 L1의 0603 패키지 표기는 3A buck 인덕터에 부적절하므로 반드시 전력 인덕터 footprint/MPN으로 수정해야 합니다.
  • 검토 범위

  • 데이터시트 기준 요약

  • 현재 회로도 검토 결과

  • 주요 발견 사항

  • 우선순위별 권장 조치

  • 1순위 — 반드시 수정/지정

  • 2순위 — 제조 경고 해소

  • 3순위 — PCB layout 검증

  • 결론

STM32H7 PZT EMI Impedance Meter thumbnail
STM32H743VIT6 기반 PZT EMI 임피던스 측정 회로

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Properties describe core aspects of the project.

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