剩余错误修正与布线


我会先导出项目的 PDF 文档作为可下载原理图文件;如果你还需要 SVG 或网表,我也可以继续导出。
已导出电路原理图 PDF:
下载 ultrasonic-500v-piezo-hv-amplifier.pdf
导出示意图
我会导出一份 SVG 示意图文件,便于查看或嵌入文档。
已导出 SVG 示意图压缩包:
下载 ultrasonic-500v-piezo-hv-amplifier-svg.zip
低边 MOSFET Q2 的源极没有接到电流采样/地,而是只和自己的栅极下拉电阻在一个孤立网。这个会让半桥根本无法按预期工作。
你说得对,这会导致低边 MOSFET 源极悬空,半桥不能正常工作。我会先核对 Q2、栅极下拉和电流采样/地相关网络,再把 Q2 源极接回正确的回流路径并复查 ERC。
已修正:Q2:S 和 R6:P2 已从孤立的 Net 2 改接到 LS_SOURCE_SENSE。现在低边 MOSFET 源极通过 R7 0.15Ω 电流采样电阻 回到 AUX_GND,同时 R6 仍作为 Q2 栅源下拉;复查未发现与 Q2 相关的悬空/单脚 ERC 项。
运行 ERC/DRC
检查栅极驱动
查看布局建议
检查采样电阻

R13
Resistance
100 Ω
R19
Resistance
10kΩ
R14
Resistance
1kΩ
R11
Resistance
10 kΩ
R17
Resistance
5.1kΩ
R10
Resistance
2 MΩ
R15
Resistance
5.1kΩ
R12
Resistance
100 Ω
R18
Resistance
100kΩ
R7
Resistance
0.15 Ω
R5
Resistance
100 kΩ
R4
Resistance
10 Ω
R3
Resistance
10 Ω
R16
Resistance
5.1kΩ
R6
Resistance
100 kΩ
R20
Resistance
10kΩ
R9
Resistance
10 kΩ
R8
Resistance
40 kΩ
J2
U1
J1
J3
C13
Capacitance
10µF
C8
Capacitance
2.5 nF
PS1
C9
Capacitance
10 µF
BR1
C5
Capacitance
220 nF
C11
Capacitance
100 nF
R1
Resistance
1MΩ
U5
C17
Capacitance
100nF
C4
Capacitance
2.2 µF
C1
Capacitance
120uF
R2
Resistance
1MΩ
C15
Capacitance
100nF
C3
Capacitance
100 nF
C16
Capacitance
62pF
L1
Inductance
1µH
C7
Capacitance
100 nF
C6
Capacitance
100 nF
C18
Capacitance
100nF
C12
Capacitance
100 nF
C14
Capacitance
10µF
C10
Capacitance
10 µF
U2
PS2
Q2
RT1
RV1
U4
F1
Q1
U3
U7
U6
150mm x 150mm PCB 排版建议
检查范围
本文件基于当前项目的 PCB 布局、层叠、器件分布、网络概况和 DRC 状态生成;尚未修改板框、器件位置或走线。
当前布局状态
  • 当前板框:100mm x 100mm,矩形,圆角约 2mm。
  • 当前层叠:Standard 4 Layer,4 层铜;Top/Bottom 为信号层,Mid-Layer 2 为 Power Plane,Mid-Layer 1 当前为 Signal。
  • PCB 器件:55 个封装,全部在 Top 层。
  • 原理图规模:223 个元件,33 个网络。
  • 当前器件总体包围盒:约 96.88mm x 96.95mm,已经几乎铺满 100mm x 100mm 板。
  • 当前器件面积约 3677mm²;在 100mm x 100mm 上填充率约 36.8%。
  • 若改为 150mm x 150mm,板面积为 22500mm²,器件面积填充率约 16.3%,可显著增加高压间距、散热铜皮和布线通道。
当前主要约束/风险
  • 设计是 220VAC 输入、约 400V peak 单端高压输出的超声压电放大器,必须保持 AC/HV 与低压控制区隔离。
  • 当前 DRC 主要为 Airwires,大量未完成物理连接;这与此前多次清线/重布线有关。
  • 现有 PCB 上仍有较多旧走线/通孔对象;在执行新排版前建议清理可删除旧路由,避免自动布线继承旧错误。
  • AUX_GND 网络在布局数据中显示 locked,并带有 keepOut 8.0mm、traceWidth 1.5mm、preferredTraceWidths 1.0mm 1.5mm 2.0mm;这是重要约束,不能随意压缩。
  • 多个低压/控制信号网络使用 0.2mm 走线和 0.3mm keepOut;高压/驱动相关网络应继续保持更宽线宽和更大间距。
推荐的 150mm x 150mm 功能分区
建议使用板中心坐标系,板边界约为 X=-75..+75mm,Y=-75..+75mm。
1. AC 输入与保护区:左侧边缘
建议区域:X=-70..-35mm,Y=+20..+70mm。
  • J1 放在左上边缘,端子朝外,方便接 220VAC。
  • F1 靠近 J1,串在火线路径上。
  • RT1、RV1 紧跟 F1/J1 后方,形成短而清晰的输入保护路径。
  • BR1 放在保护区右侧,作为 AC 到 HV DC 的过渡。
  • AC_L_IN、AC_L_FUSED、AC_L_PROT、AC_N 走线要短、宽、间距大。
2. 高压整流与母线储能区:上中到右上
建议区域:X=-20..+45mm,Y=+35..+70mm。
  • C1 作为 120uF 高压大电容,放在 BR1 后方,离 BR1 和 HV_BUS_POS 路径近。
  • R1/R2 高压泄放电阻沿 C1/HV_BUS_POS 区域放置,拉开距离,避免贴近低压信号。
  • HV_BUS_POS 主干从 C1 正端向右侧半桥区直走,避免穿越低压控制区。
3. 高压半桥与输出区:右侧边缘
建议区域:X=+35..+70mm,Y=-5..+55mm。
  • Q1、Q2、L1、R7、J3 构成高压功率输出路径,应集中在右侧,但相互保留散热和爬电距离。
  • J3 放右侧边缘,端子朝外,作为 HV_OUT/输出接口。
  • Q1/Q2 靠近 U1 驱动器,但与低压控制隔离器保持间距。
  • L1 放在 Q1/Q2 与 J3 之间,缩短 SW_HV/HV_OUT 大电流环路。
  • R7 电流采样靠近低侧源极回路,LS_SOURCE_SENSE 走线短而远离开关节点。
4. 半桥驱动区:右中
建议区域:X=+20..+50mm,Y=-20..+25mm。
  • U1 贴近 Q1/Q2 栅极电阻 R3/R4。
  • C3、C4、C5 等 U1 去耦/自举电容必须靠近 U1 对应引脚;不要为了分散而拉远。
  • HO_DRV、LO_DRV、BOOT_VB、Q1_GATE、Q2_GATE 尽量短,避免绕行。
5. 隔离与逻辑控制区:中下
建议区域:X=-15..+25mm,Y=-65..-20mm。
  • U4 隔离器放在高压/低压边界附近,输入侧朝低压控制,输出侧朝 U1 驱动。
  • U7 反相器和相关电阻电容靠近 U4/U1 信号路径。
  • SIG_GND 与 AUX_GND 之间保持明确分区,不建议让低压信号回流穿过功率开关区。
6. 辅助电源区:左下到中下
建议区域:X=-70..-20mm,Y=-70..-15mm。
  • PS1 体积最大,建议放左下或左中,留出输入/输出端走线空间。
  • PS2、U5、U2/U3/U6 及其去耦电容围绕低压电源和比较器功能分区摆放。
  • AUX_12V、AUX_5V、SIG_5V 尽量在低压区内分配,避免贴近 SW_HV 与 HV_BUS_POS。
推荐板级约束
  • 板尺寸:150.0mm x 150.0mm。
  • 层叠:保留 Standard 4 Layer。
  • 建议将 Mid-Layer 1 优先作为 GND/参考平面,Mid-Layer 2 作为 Power Plane;若工具只保留现有层类型,也至少保持连续低阻抗回流路径。
  • 建议所有器件继续放 Top 层,便于装配;150mm x 150mm 空间足够,无需把器件放到底层。
  • 建议保留或加强 AUX_GND 的大间距约束;高压网络 HV_BUS_POS、SW_HV、HV_OUT 应优先走短、宽、清晰路径。
推荐执行顺序
  1. 将板框改为 150.0mm x 150.0mm,保留 4 层。
  2. 清理所有可删除旧走线/通孔,特别是旧 Airwire 衍生的断线和浮铜。
  3. 按上述六个功能区重新排版器件。
  4. 先复查器件越界/重叠,确认无机械问题。
  5. 用户确认排版后,再进入重新布线;优先布 HV_BUS_POS、SW_HV、HV_OUT、Q1_GATE、Q2_GATE、HO_DRV、LO_DRV、BOOT_VB、LS_SOURCE_SENSE。
  6. 最后运行 Airwires、Dangling Trace、Floating Copper、Overlapping Copper、Component Override 等 DRC 复查。
结论
150mm x 150mm 对当前设计是合理升级:器件填充率从约 36.8% 降至约 16.3%,能显著改善高压安全间距、散热和布线质量。建议先执行“改板框 + 重新排版”,确认功能区位置后再布线。
  • 检查范围

  • 当前布局状态

  • 当前主要约束/风险

  • 推荐的 150mm x 150mm 功能分区

  • 1. AC 输入与保护区:左侧边缘

  • 2. 高压整流与母线储能区:上中到右上

  • 3. 高压半桥与输出区:右侧边缘

  • 4. 半桥驱动区:右中

  • 5. 隔离与逻辑控制区:中下

  • 6. 辅助电源区:左下到中下

  • 推荐板级约束

  • 推荐执行顺序

  • 结论