Desain PCB PDC 8 MOSFET


Baik, saya pahami: MOSFET “3025” untuk push-pull, dan SCR dipakai sebagai pembuat pulsator di sisi output DC.
Ada satu koreksi penting: jika “3025” yang dimaksud adalah IRF3025/IRFB3025 sekelas 55V, itu terlalu rendah untuk push-pull trafo EE65 12V 1500W karena spike drain bisa jauh di atas 55V. Untuk desain aman saya sarankan MOSFET minimal 100V, bahkan lebih baik 150V, low RDS(on), dengan snubber/clamp kuat.
Untuk SCR sebagai pulsator: SCR cocok untuk membuat pulsa pada output HV, tetapi pada DC murni SCR tidak bisa OFF sendiri sampai arus turun di bawah holding current. Jadi rangkaian harus punya salah satu:
  • pulsa dari output hasil penyearahan yang memang turun/terputus periodik, atau
  • rangkaian commutation untuk mematikan SCR, atau
  • gunakan IGBT/MOSFET HV sebagai saklar pulsator jika ingin ON/OFF DC terkontrol penuh.
Rekomendasi blok desain sekarang:
  • 12V input 180–220A
  • push-pull EE65, 6 MOSFET per sisi
  • PWM push-pull dengan dead-time
  • gate driver kuat per sisi/grup
  • trafo EE65 step-up
  • fast HV rectifier ke 750V DC
  • SCR/IGBT pulsator setelah filter/output sesuai mode pulsa
  • proteksi over-current, snubber, TVS/clamp, bleeder resistor, jarak HV besar
Karena project yang terbuka masih view-only Generic Resistor, saya belum bisa membuat PCB langsung di sini. Buat/fork project baru yang bisa diedit, lalu saya bisa lanjut susun skematik lengkap.
Cari MOSFET 100V alternatif yang cocok untuk 6 paralel per sisi.
Saya akan cari kandidat MOSFET 100V low-RDS(on) yang cocok untuk push-pull 12V arus besar dengan 6 paralel per sisi, lalu saya bandingkan rating tegangan, arus, RDS(on), gate charge, dan kemudahan penggerakannya.
Saya sudah hitung kebutuhan dasarnya: 750V × 2A = 1500W, dari input 12V butuh sekitar 147A pada efisiensi 85%, dan desain input sebaiknya disiapkan 180–220A. Untuk 6 MOSFET paralel per sisi, target MOSFET yang cocok adalah N-channel 100V+, RDS(on) sangat rendah, TO-247 lebih disarankan daripada TO-220, dengan gate driver kuat dan resistor gate individual.
Kandidat awal yang layak dicek datasheet:
  • IRFP4468PBF — 100V, TO-247, arus sangat besar, cocok sebagai kandidat utama.
  • IRFP4110 / IRFB4110PBF — 100V, RDS(on) sekitar 4.5mΩ max; IRFP/TO-247 lebih baik termal, IRFB/TO-220 lebih mudah panas.
  • Alternatif kelas lebih aman: 150V MOSFET low-RDS(on) jika spike trafo EE65 sulit dikendalikan.
Belum bisa saya verifikasi lengkap dari datasheet/library karena eksekusi alat terhenti. Langkah berikutnya: cek datasheet resmi kandidat, pilih MOSFET final, lalu desain gate driver per grup, snubber/clamp, current sense, dan layout busbar untuk arus 180–220A.
Bandingkan MOSFET utama
Cari alternatif TO-247
Hitung panas MOSFET
Pilih gate driver
Cari opsi 150V
@copilot creame un circuito para conectar un dht22 a un arduino esp32

P2
P1

Generic Resistor